MEMS用撥水性シリル化コーティング技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A gas-phase water-repellent silanization coating technique, which prevents the microscopic structures used for micro-sensors and micro-electro-mechanical systems (MEMS) from sticking to the silicon substrates and other microscopic structures during operation, have been developed. Use of a water-repellent coating is one method that prevents sticking by reducing the surface energy of the structure. The water-repellency characteristics of three types of organosilicon compounds were evaluated. It was found that a water-repellent silanization coating layer using (tridecafluoro - 1, 1, 2, 2 -tetrahydrooctyl) trichlorosilane (C8H4Cl3F13Si) had most excellent durability. It was confirmed that the water contact angle of C8H4Cl3F13Si coating layer is exceeding 90 degrees at surface of standard semiconductor materials except nickel. In addition, the C8H4Cl3F13Si coating layer can be patterned by ultraviolet irradiation.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2006-03-01
著者
関連論文
- SPE法によるSOI層中の不純物拡散
- 埋込みゲートを有する縦型MOS FET
- SPE法によるSOI層の熱酸化膜の評価
- マイクロセンサ用オールドライ処理技術
- 犠牲層エッチングから撥水性コーティングまでのオールドライ処理技術
- MEMS用気相エッチング技術
- 腎症モニタリングのための小型アルブミンセンサの開発
- 異方性ドライエッチングを利用したシリコン中酸素析出物検出技術の開発
- Bイオン注入によって誘起されるOSFと酸化膜信頼性との関係
- Bイオン注入によって誘起されるOSFと酸化膜信頼性との関係
- Bイオン注入によって誘起されるOSFと酸化膜信頼性との関係
- メソポーラスシリカ多孔体のナノ細孔内に作製した金属量子ドット超格子構造
- C-10-9 シリカメソ多孔体を用いた3次元金属量子ドット超格子素子の低温伝導特性(C-10.電子デバイス)
- C-10-6 シリカメソ多孔体を用いた 3 次元金属量子ドット超格子素子
- 23aTH-8 シリカメソ多孔体を用いた金属量子ドット超格子素子の電気伝導特性
- SiH_4を用いた清浄表面形成法によるSPE技術とSOI層の評価
- シリコンと酸化剤を溶解したTMAHによるアルミをエッチングしないシリコン異方性エッチング
- 電圧ランプ法により求めた破壊電圧からのゲート酸化膜寿命予測
- 電圧ランプ法により求めた破壊電圧からゲート酸化膜寿命予測
- 電圧ランプ法により求めた破壊電圧からのゲート酸化膜寿命予測
- 微細化薄膜MI素子(計測・高周波デバイス)
- 微細化薄膜MI素子
- 表面マイクロマシニング型センサ
- フッ化水素ガス処理によるシリコン窒化膜の反応特性
- MEMS用撥水性シリル化コーティング技術
- 高温動作MOSFETのデバイス構造の検討
- 犠牲層エッチングから撥水性コーティングまでのオールドライ処理技術
- 薄膜ダイヤフラムを有するマイクロ圧力センサの感度解析
- CMOS集積化のためのSiO被覆ポリシリコン可動構造体を有するマイクロミラー
- CMOS集積化のためのSiO_2被覆ポリシリコン可動構造体を有するマイクロミラー