電圧ランプ法により求めた破壊電圧からのゲート酸化膜寿命予測
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概要
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我々は, 電圧ランプ法を用いて測定したゲート酸化膜の破壊電圧分布から酸化膜の実効薄膜化量の密度を求め, その密度関数を用いてTDDB特性を予測する方法を検討した。その結果, 偶発故障領域から真性破壊領域までのTDDB特性を精度良く予測することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-22
著者
-
渡辺 行彦
豊田中央研究所
-
光嶋 康一
(株)豊田中央研究所
-
吉田 友幸
(株)豊田中央研究所
-
渡辺 行彦
(株)豊田中央研究所
-
副島 成雅
豊田中研
-
副島 成雅
(株)豊田中央研究所
-
光嶋 康一
(株)豊田中央研究所半導体デバイス・センサ研究室
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