低貫通欠陥密度SiC基板を用いた4H-SiC JBSダイオードのリーク電流解析
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概要
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- 2010-11-29
著者
-
大西 豊和
トヨタ自動車（株）
-
濱田 公守
トヨタ自動車（株）
-
中村 剛志
トヨタ自動車(株)第4電子技術部
-
渡辺 行彦
豊田中央研究所
-
渡辺 行彦
(株)豊田中央研究所
-
勝野 高志
(株)豊田中央研究所
-
藤原 広和
トヨタ自動車(株)
-
小西 正樹
トヨタ自動車(株)
-
山本 武雄
(株)デンソー 基礎研究所
-
遠藤 剛
(株)デンソー 基礎研究所
-
濱田 公守
トヨタ自動車(株)
-
恩田 正一
デンソー基礎研
-
鶴田 和弘
デンソー
-
大西 豊和
トヨタ自動車(株)
-
中村 剛志
トヨタ自動車
-
恩田 正一
デンソー
-
勝野 高志
豊田中央研究所
-
森野 友生
デンソー
-
山本 武雄
デンソー
-
遠藤 剛
デンソー
-
山本 敏雅
デンソー
-
濱田 公守
トヨタ自動車
-
小西 正樹
トヨタ自動車
-
藤原 広和
トヨタ自動車
-
大西 豊和
トヨタ自動車
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