濱田 公守 | トヨタ自動車（株）
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概要
関連著者
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濱田 公守
トヨタ自動車（株）
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濱田 公守
トヨタ自動車(株)
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トヨタ自動車
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トヨタ自動車(株)
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トヨタ自動車（株）
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戸倉 規仁
(株)デンソー
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トヨタ自動車
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トヨタ自動車(株)第4電子技術部
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(株)デンソー 基礎研究所
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保田 智史
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トヨタ自動車(株)
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小島 崇
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戸倉 規仁
(株)デンソー 幸田製作所 デハイス開発部
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恩田 正一
デンソー基礎研
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鶴田 和弘
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戸倉 規仁
(株)デンソー 幸田製作所 デバイス開発部
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中村 剛志
トヨタ自動車
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恩田 正一
デンソー
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勝野 高志
豊田中央研究所
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森野 友生
デンソー
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山本 武雄
デンソー
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デンソー
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山本 敏雅
デンソー
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小西 正樹
トヨタ自動車
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トヨタ自動車
著作論文
- フローティングP型パワーMOSFET（FITMOS）のAC動作時のオン抵抗改善
- ハイブリッド車用パワー半導体の宇宙線耐量
- フローティングP型パワーMOSFET(FITMOS)のAC動作時のオン抵抗改善
- フローティングアイランドと厚い酸化膜をトレンチ底部に備えた超低抵抗トレンチゲートMOSFET(FITMOS) : 優れた内蔵ダイオードを有する60V耐圧超低抵抗MOSFET
- ハイブリッド自動車用600V 200A低損失高電流密度トレンチIGBT
- IGBTのスイッチング損失と素子容量の関連解析
- ハイブリッド車用パワー半導体の宇宙線耐量
- 温度特性に優れた電流センスパワーMOSFET
- AC動作時のオン抵抗, 耐圧とオン抵抗のトレードオフを改善したフローティングP型パワーMOSFET(FITMOS)の開発
- ハイブリッド自動車インバータ用パワーエレクトロニクス回路シミュレーションの開発
- ハイブリッド車用IGBTの宇宙線耐量
- 低貫通欠陥密度SiC基板を用いた4H-SiC JBSダイオードのリーク電流解析