ハイブリッド車用パワー半導体の宇宙線耐量

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概要

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• Power semiconductors that are used under high voltage conditions in hybrid vehicles (HVs) are required to have a high destruction tolerance against cosmic rays as well as to meet conventional quality standards. In this paper, the failure mechanism for single event burnouts (SEB) induced by cosmic rays in insulated gate bipolar transistors (IGBTs) was investigated. Device destruction tolerance can be greatly improved by adopting an optimized device design that greatly suppresses parasitic thyristor action.

著者

• 西田 秀一

  トヨタ自動車（株）

• 庄司 智幸

  （株）豊田中央研究所

• 大西 豊和

  トヨタ自動車（株）

• 藤川 東馬

  トヨタ自動車（株）

• 野瀬 昇

  トヨタ自動車（株）

• 石子 雅康

  （株）豊田中央研究所

• 濱田 公守

  トヨタ自動車（株）

• 庄司 智幸

  (株)豊田中央研究所

• 石子 雅康

  (株)豊田中央研究所

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