IGBTのスイッチング損失と素子容量の関連解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2009-10-29
著者
-
濱田 公守
トヨタ自動車(株)
-
斎藤 順
トヨタ自動車
-
石子 雅康
豊田中央研究所
-
石子 雅康
(株)豊田中央研究所
-
町田 悟
豊田中央研究所
-
杉山 隆英
豊田中央研究所
-
保田 智史
トヨタ自動車
-
濱田 公守
トヨタ自動車(株)
-
濱田 公守
トヨタ自動車
関連論文
- フローティングP型パワーMOSFET(FITMOS)のAC動作時のオン抵抗改善
- 短絡耐量の温度依存性に対する理論解析
- ハイブリッド車用パワー半導体の宇宙線耐量
- 4H-SiC JBSダイオードの逆方向特性に影響を与える表面欠陥の解析
- フローティングP型パワーMOSFET(FITMOS)のAC動作時のオン抵抗改善
- フローティングアイランドと厚い酸化膜をトレンチ底部に備えた超低抵抗トレンチゲートMOSFET(FITMOS) : 優れた内蔵ダイオードを有する60V耐圧超低抵抗MOSFET
- 自動車用高パワー密度インバータ(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- パワーデバイス電気特性の機械的応力依存性
- パワーデバイス電気特性の機械応力依存
- IGBT特性の一軸性機械的応力依存性
- 高電圧下におけるIGBT短絡耐量の研究
- パワーデバイス用トレンチゲート酸化膜の発光解析
- 薄ウェハIGBTのための新規コレクタ構造の提案
- 新しい高出力IGBTの提案
- p-/n+バッファ層構造のIGBTの検討
- ハイブリッド自動車用600V 200A低損失高電流密度トレンチIGBT
- IGBTのスイッチング損失と素子容量の関連解析
- 高リカバリ耐量ダイオードの開発
- He照射を用いたPiNダイオードのダイナミックアバランシェ現象とCiOi欠陥の相関
- He照射を用いたPiNダイオードのダイナミックアバランシェ現象とCiOi欠陥の相関(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- 高リカバリ耐量ダイオードの開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- 固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FETの温度特性のデバイスパラメータ依存性
- リーク電流を低減したSOI-CMOS構造
- SOI-CMOS OPアンプのオフセット電圧評価
- 4H-SiC JBSダイオードの逆方向特性に影響を与える表面欠陥の解析
- 短絡耐量の温度依存性に対する理論解析
- ハイブリッド車用パワー半導体の宇宙線耐量
- 温度特性に優れた電流センスパワーMOSFET
- AC動作時のオン抵抗, 耐圧とオン抵抗のトレードオフを改善したフローティングP型パワーMOSFET(FITMOS)の開発
- 超低損失新構造パワーMOSFET(FITMOS)の開発
- ハイブリッド自動車インバータ用パワーエレクトロニクス回路シミュレーションの開発
- ハイブリッド車用IGBTの宇宙線耐量
- 低貫通欠陥密度SiC基板を用いた4H-SiC JBSダイオードのリーク電流解析
- アノード構造を改良した高速・高破壊耐量SOI横型ダイオードの開発
- ハイブリッド車用パワー半導体の高効率イオン注入技術の開発
- 高温車載用ワイド耐圧SOI-BiCDMOS技術
- ダイオード逆回復サージ電圧の電流依存性に対するトラップ準位の影響
- 車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題
- ハイブリッド車用IGBTの宇宙線耐量
- 高温車載用ワイド耐圧SOI-BiCDMOS技術
- 低貫通欠陥密度SiC基板を用いた4H-SiC JBSダイオードのリーク電流解析
- トレンチ底部が厚い酸化膜で形成された4H-SiCトレンチMOSFET
- ダイオード逆回復サージ電圧の電流依存性に対するトラップ準位の影響
- トレンチ底部が厚い酸化膜で形成された4H-SiCトレンチMOSFET