濱田 公守 | トヨタ自動車
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概要
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濱田 公守
トヨタ自動車
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トヨタ自動車(株)第4電子技術部
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戸倉 規仁
(株)デンソー 幸田製作所 デバイス開発部
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濱田 公守
トヨタ自動車株式会社
著作論文
- フローティングP型パワーMOSFET(FITMOS)のAC動作時のオン抵抗改善
- フローティングアイランドと厚い酸化膜をトレンチ底部に備えた超低抵抗トレンチゲートMOSFET(FITMOS) : 優れた内蔵ダイオードを有する60V耐圧超低抵抗MOSFET
- ハイブリッド自動車用600V 200A低損失高電流密度トレンチIGBT
- IGBTのスイッチング損失と素子容量の関連解析
- ハイブリッド車用パワー半導体の宇宙線耐量
- 温度特性に優れた電流センスパワーMOSFET
- AC動作時のオン抵抗, 耐圧とオン抵抗のトレードオフを改善したフローティングP型パワーMOSFET(FITMOS)の開発
- 超低損失新構造パワーMOSFET(FITMOS)の開発
- ハイブリッド自動車インバータ用パワーエレクトロニクス回路シミュレーションの開発
- ハイブリッド車用IGBTの宇宙線耐量
- 低貫通欠陥密度SiC基板を用いた4H-SiC JBSダイオードのリーク電流解析
- ハイブリッド車用パワー半導体の高効率イオン注入技術の開発
- 高温車載用ワイド耐圧SOI-BiCDMOS技術
- 車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題
- ハイブリッド車用IGBTの宇宙線耐量
- 高温車載用ワイド耐圧SOI-BiCDMOS技術
- 低貫通欠陥密度SiC基板を用いた4H-SiC JBSダイオードのリーク電流解析
- トレンチ底部が厚い酸化膜で形成された4H-SiCトレンチMOSFET
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