トレンチ底部が厚い酸化膜で形成された4H-SiCトレンチMOSFET
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-10-25
著者
-
高谷 秀史
トヨタ自動車(株)
-
山本 敏雅
株式会社デンソー
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濱田 公守
トヨタ自動車
-
渡辺 行彦
株式会社豊田中央研究所
-
森本 淳
トヨタ自動車株式会社
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榊原 純
株式会社デンソー
-
副島 成雅
株式会社豊田中央研究所
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