He照射を用いたPiNダイオードのダイナミックアバランシェ現象とCiOi欠陥の相関(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
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概要
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Our research has shown that dynamic avalanche phenomenon is related to the hole trap level that is induced at an energy level of Ev+0.35eV. In this study we will describe how we used the DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) method and CL (Cathodo Luminescence) method to identify that the defects which form the hole trap level are in fact CiOi that is present in the Si wafer. By controlling amounts of CiOi in the Si wafer, we were able to improve the diode characteristics and suppress oscillation of the IGBT module current and voltage waveforms.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-16
著者
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