ここまで来たSiC技術 : 加速するSiCデバイス
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2003-06-10
著者
関連論文
- 熱処理による炭化珪素中マイクロパイプ欠陥の修復 : カーボンナノ合成
- SiC 半導体単結晶のメカノケミカルポリシング技術 : Si終端面の高能率化の検討
- SiC半導体ウエハの精密加工
- SiC半導体単結晶の研磨特性
- SiC半導体単結晶研磨面の結晶性の評価
- 7a-E-12 AuをdopeしたP型Siの電子線照射
- 3a-TA-3 Fluをdopep-si(Boro_N)の電子線照射
- ここまで来たSiC技術 : 加速するSiCデバイス
- ハイドープSiエピタキシャル基板の精密加工技術
- 6a-KM-7 高純度シリコン中の焼き入れ欠陥
- 10p-U-10 P型GaSb中の格子欠陥
- 10p-U-6 電子線照射したP型シリコン中の空孔
- 6p-E-13 AuをdopeしたP型Siの電子線照射
- 6p-E-12 P型Siの低温電子線照射
- 7a-E-11 P型シリコンの低温電子線照射
- 3a-TA-7 P-Geの電子線照射損傷
- SiC縦型MOSFETの現状 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 低貫通欠陥密度SiC基板を用いた4H-SiC JBSダイオードのリーク電流解析