SiC縦型MOSFETの現状 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

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概要

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• 高耐圧, 低損失パワーデバイスとして期待される縦型SiC MOSFETの理論的に期待される特性値とそれらを実現するための最新の研究状況を構造と課題となるプロセスの面から述べる。最近の研究報告より蓄積型MOSFETが高耐圧と低損失デバイス構造として有望である。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-01-25

著者

• 恩田 正一

  (株)デンソー基礎研

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