SiC 半導体単結晶のメカノケミカルポリシング技術 : Si終端面の高能率化の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-09-01
著者
-
渡邉 純二
熊大院
-
江龍 修
名工大
-
山本 幸治
(株)マルトー
-
山本 幸治
チューブシステムズ
-
江龍 修
名古屋工業大学
-
安永 暢男
東海大工学部
-
中嶋 堅志郎
名工大
-
兪 国林
名工大
-
武久 努
大同メタル工業
-
中嶋 堅志郎
名古屋工大工学部
関連論文
- 微小重力場における高分子の自己組織化を利用した二次元ナノテンプレート創成プロジェクトの取組
- B41 エアー浮上式精密ベルト研削技術の開発(B4 加工・生産システム1)
- 2724 ダイヤモンド単結晶半導体基板の紫外光照射研磨技術の研究(S33-3 材料の超精密加工とマイクロ/ナノ加工の動向(3),S33 材料の超精密加工とマイクロ/ナノ加工の動向)
- 2723 高品質パターン形状ダイヤモンドCVD膜の形成技術(S33-3 材料の超精密加工とマイクロ/ナノ加工の動向(3),S33 材料の超精密加工とマイクロ/ナノ加工の動向)
- 学習・教育目標を利用した要素別GPA分析による学修指導の試み
- 2611 SiCウェハの高温メカノケミカルポリシング(S74-1 砥粒加工(1),S74 砥粒加工)
- BaCO_3砥粒によるSiウェハーの研磨機構
- BaCO_3磁石で研磨したシリコンウェーハの表面評価
- 研削-ポリシングによるプラナリゼーション
- 低圧高速条件における平坦化研磨特性
- Si熱酸化膜のCMP機構とスラリー特性
- 高周波振動子用水晶素板の超精密加工
- GaN半導体レーザ共振器端面の超精密加工の研究
- 超高周波振動子用薄型水晶素板の超精密加工技術
- リング状保護膜による超薄型水晶の加工技術
- 超薄型水晶素板の加工技術
- エアー浮上式精密ベルト研削法の開発
- 1108 研削ベルトによる高品位平面の形成
- 加工表面の分析評価に基づいたSiC半導体の加工メカニズムの研究
- 半導体SiC基板の精密加工とデバイス特性
- 固体触媒を用いたSiC半導体単結晶の精密加工技術の研究
- SiC 半導体単結晶のメカノケミカルポリシング技術 : Si終端面の高能率化の検討
- SiC半導体ウエハの精密加工
- SiC半導体単結晶の研磨特性
- SiC半導体単結晶研磨面の結晶性の評価
- イオンビームアシスト研磨法によるSiC表面ナノ構造形成
- エレクトロニクス材料の働きをおもさで測る
- Cat-CVD/レーザアブレーション複合プロセスで作製したEr添加a-Si:H薄膜の発光特性
- シリコン中のEr不純物のレーザー・ドープと光物性
- ポーラスSiに吸着させたErのレーザードーピング
- エキシマレーザードーピング時のSi中のEr原子分布
- ErドープSi中におけるEr発光中心のアニール効果
- 超硬合金のELID鏡面研削切断特性
- 7a-E-12 AuをdopeしたP型Siの電子線照射
- 3a-TA-3 Fluをdopep-si(Boro_N)の電子線照射
- ここまで来たSiC技術 : 加速するSiCデバイス
- ハイドープSiエピタキシャル基板の精密加工技術
- 6a-KM-7 高純度シリコン中の焼き入れ欠陥
- 10p-U-10 P型GaSb中の格子欠陥
- 10p-U-6 電子線照射したP型シリコン中の空孔
- 6p-E-13 AuをdopeしたP型Siの電子線照射
- 6p-E-12 P型Siの低温電子線照射
- 7a-E-11 P型シリコンの低温電子線照射
- 3a-TA-7 P-Geの電子線照射損傷
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ELID研削システム搭載卓上型平面研削加工機"MOBILION"の開発
- SiC半導体基板のレーザープロセス
- SiCのパルス・レーザープロセス基盤技術と紫外線センサへの応用
- SiCのパルス・レーザープロセス基盤技術と紫外線センサへの応用
- SiCのパルス・レーザープロセス基盤技術と紫外線センサへの応用
- ELID研削による鏡面切断装置および加工特性
- ELID研削切断機の開発および適用効果 (第2報 加工特性)
- ELID研削切断機の開発および適用効果
- 高純度ステンレス鋼の超音波複合小径深穴加工の高能率化
- ELIDマイクロファブリケーションシステムにおけるマイクロツールの開発 : 第5報 : マイクロツールの高能率加工-その2-
- ELIDマイクロファブリケーションシステムにおけるマイクロツールの開発 : 第4報 : マイクロツールの切削特性評価
- ELIDマイクロファブリケーションシステムにおけるマイクロツールの開発 : 第3報 : マイクロツールの高能率加工について
- One to CutによるELID研削切断特性(第1報) : メタルボンド砥石による特性
- 卓上ELIDレシプロ研削切断機の開発
- ELIDラップ研削盤"ヒカリオン"による硬脆材料の加工特性
- ELIDラップ研削盤ヒカリオンによる両面研削特性
- ELID研削切断機の開発および適用効果 (第3報 : 電極形状の影響)
- 平坦化CMPにおけるパッド開発と特性
- 極表層面研削を応用した新しい平坦化プロセス技術の開発
- 分光エリプソメトリを用いた化合物半導体の評価
- 電気電子工学系大学生の入学動機の時系列変化および大学間における相違の調査
- ＴＥＧａ，ＴＢＡｓを用いた有機金属気相エピタキシャル法による低温ＧａＡｓの作製
- 卒業研究記録ノートの導入による卒業研究実施状況および達成度の把握
- アンケート調査に基づく高校生を対象とした啓発活動に関する一検討
- 卒業研究記録ノートの導入による卒業研究実施状況および達成度の把握