中嶋 堅志郎 | 名古屋工大工学部
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概要
関連著者
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中嶋 堅志郎
名古屋工大工学部
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江龍 修
名古屋工業大学
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中嶋 堅志郎
名古屋工業大学
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江龍 修
名工大
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中嶋 堅志郎
名工大
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兪 国林
名工大
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渡邉 純二
熊大院
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山本 幸治
(株)マルトー
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山本 幸治
チューブシステムズ
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渡邉 純二
熊大工
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大脇 弘憲
名古屋工業大学
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大脇 弘憲
名古屋工業大学電気情報工学科
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武久 努
大同メタル工業
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佐藤 幸介
熊大工
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渡邉 純二
熊本大学大学院
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松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
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増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所
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松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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増田 淳
北陸先端大
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坂井 穣
北陸先端科学技術大学院大
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安永 暢男
東海大工学部
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武久 努
熊大工
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高見 信一郎
(株)フジミインコーポレーテッド
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秋山 治大
名古屋工業大学
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池内 直樹
名古屋工業大学
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飯岡 修
名古屋工業大学電気情報工学科
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南 英男
名古屋工業大学電気情報工学科
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増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
著作論文
- SiC 半導体単結晶のメカノケミカルポリシング技術 : Si終端面の高能率化の検討
- SiC半導体ウエハの精密加工
- SiC半導体単結晶の研磨特性
- SiC半導体単結晶研磨面の結晶性の評価
- Cat-CVD/レーザアブレーション複合プロセスで作製したEr添加a-Si:H薄膜の発光特性
- シリコン中のEr不純物のレーザー・ドープと光物性
- ポーラスSiに吸着させたErのレーザードーピング
- エキシマレーザードーピング時のSi中のEr原子分布
- ErドープSi中におけるEr発光中心のアニール効果
- SiC半導体基板のレーザープロセス
- SiCのパルス・レーザープロセス基盤技術と紫外線センサへの応用
- SiCのパルス・レーザープロセス基盤技術と紫外線センサへの応用
- SiCのパルス・レーザープロセス基盤技術と紫外線センサへの応用