ErドープSi中におけるEr発光中心のアニール効果

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概要

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本研究では、希土類元素ErがSi中に形成する発光中心の電子励起過程を明らかにすることを目的とし、ErドープSiの発光スペクトルの解析を行った。Erドーピングにはレーザードーピング法を用いた。作製したErドープSiは、ドープ後のアニールにより新たに発光中心を形成し、アニールの前後において異なる発光スペクトルを示すことが明らかとなった。アニール後の発光スペクトルの解析の結果、Si中のErは、Td、Hxおよびそれ以外のサイトに発光中心を形成していると考えられる。また、ドープ層の裏面励起によるPL測定を行った結果、光学的直接電子励起と光励起キャリアの再結合に伴う間接電子励起による発光スペクトルに差は観測されなかった。これより、Si中のErの電子励起割合は、発光中心のサイトに依存しないことがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-05-20

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