SiCのパルス・レーザープロセス基盤技術と紫外線センサへの応用

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概要

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水素希釈したトリ・メチル・アルミニウム(TMA / H_2)雰囲気中に置いた6H-SiC基板をKrFエキシマ・レーザーで照射して、Alをドープする技術を開発した。TMA / H_2ガス圧、照射エネルギー密度およびパルス数を選択して基板表面から約100nmの深さに1x10^<16>〜1x10^<19>cm^<-3>のオーダーのAl原子をドープした。ドープしたAlの一部はその後の熱処理を加えることなくアクセプタとして機能し、Alドープ層はp型伝導を示した。同様にBをトリ・メチル・ボロン(TMB / H_2)雰囲気中でドープ可能であることが判明したが、電気的活性化は確認できなかった。Alドープ層にTi / Alオーミック電極をレーザープロセスにより形成し、作製したpn接合ダイオードが紫外線領域に分光感度を持つことを示した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-05-11

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