エキシマレーザードーピング時のSi中のEr原子分布
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概要
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本研究ではエキシマレーザー(λ=248nm、τp=20ns)及び色素レーザー(λ=584nm、τp=500ns)の2種類のパルスレーザーを用い、レーザードーピング法で作製したEr-Si系材料の結晶性及びEr原子濃度の深さ方向分布及び原子位置を、RBS測定及びチャネリング角度分散測定により明らかにし、ドーピング効果に対するレーザー依存性を調べた。その結度、エシマレーザーを用いてドーピングを行なった場合、ErはSi表面から2000Åまでの領域においてSi格子中で、単原子状ではなくクラスターの形態で存在することを明らかにした。更に、色素レーザーを用いてドーピングを行なった場合、エキシマレーザードーピングの場合と異なり、ErはSi格子中で主にTetrahedral位置及びHexagonal位置に配列し存在していることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-20
著者
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