SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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• 6H-SiC上へのAlN成長は厚膜化するに従い、クラック・剥離につながるということが分かった。そこで本研究ではクラック低減のための方法としてSiC基板に溝構造の加工を行った。また、比較として方位の異なる2種類の基板を用いてHVPE法によりAlNの厚膜成長を行った。基板の方位はそれぞれ<1-100>、<11-20>に沿ってストライプ加工を施したものを用意した。<1-100>方向の加工基板の方が<11-20>方向のものよりも表面平坦性、結晶性において優れたAlN厚膜が得られた。

• 2010-11-04

著者

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大 工

• 江龍 修

  名古屋工業大学

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 奥村 建太

  三重大学大学院工学研究科

• 野村 拓也

  三重大学大学院工学研究科

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