a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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クラックフリーの厚膜AlNを得るためには,周期溝加工を施したAlN/Sapphire基板を用いる方法が有効である。本研究で用いている周期溝加工を施すための下地c面AlN/a面Sapphire基板は、下地の段階から減圧HVPE法を用いて結晶成長を行った。しかしa面Sapphire上AlNは、初期成長温度と表面処理の有無によって面方位が90°変化する。したがってAlNの合体面の関係から、加工する溝のストライプ方向がa面Sapphireの<0001>と<1-100>に沿う2通り考えられる。そのため本研究では面方位の異なる溝加工AlN/a面Sapphireについて,溝加工方向による成長形態の比較・検討を行った。
- 2011-05-12
著者
-
三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
高木 雄太
三重大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学大学院 工学研究科
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