増田 淳 | 北陸先端大
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概要
関連著者
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増田 淳
北陸先端大
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増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所
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松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
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増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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梅本 宏信
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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和泉 亮
北陸先端科学技術大学院大学
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南川 俊治
石川県工業試験場
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南川 俊治
石川県工試
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松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
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松尾 直人
山口大
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松尾 直人
兵庫県大
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仁木 敏一
(株)石川製作所
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余頃 祐介
北陸先端科学技術大学院大学
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余頃 祐介
北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
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部家 彰
兵庫県立大学工学研究科
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松尾 直人
兵庫県立大学
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浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
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南 茂平
(株)石川製作所
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河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
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河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
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坂井 全弘
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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河本 直哉
山口大 工
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河本 直哉
山口大学工学部
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部家 彰
兵庫県立大学物質系
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下田 達也
セイコーエプソン 基盤技術研究所
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柴田 賢一
三洋電機(株)研究開発本部アドバンストエナジー研究所
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柴田 賢一
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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柴田 賢一
三洋電機(株)
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山野 耕治
三洋電機(株)ニューマテリアル研究所
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浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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長谷川 勲
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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仁木 敏一
石川製作所
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南 茂平
石川製作所
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増田 淳
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
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松村 英樹
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
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ファクルル アンワル
山口大学工学部
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松尾 直人
山口大学工学部
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宮下 一幸
セイコーエプソン株式会社・テクノロジープラットフォーム研究所
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アンワル ファクルル
山口大学工学部
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下田 達也
Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology
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下田 達也
セイコーエフ゜ソン株式会社 Tprc 第四研究ク゛ルーフ゜
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堤 隆之
北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
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浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
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AZIZ Fakhrul
山口大学工学部
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長谷川 勲
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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Anwar F
山口大学工学部
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横道 治男
富山県大工
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柴田 賢一
三洋電機株式会社・機能材料研究所
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山野 耕治
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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部家 彰
兵庫県立大学大学院工学研究科
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部家 彰
兵庫県立大学大学院
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部家 彰
兵庫県立大学 大学院工学研究科
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増田 淳
産総研
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米澤 保人
石川県工業試験場
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室井 進
(株)石川製作所
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西村 昌也
北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
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上遠野 浩一
北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
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杉田 健
北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
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今森 健策
北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
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伊藤 雅也
北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
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高野 昌宏
北海道大学大学院
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高野 昌宏
石川県工業試験場機械金属部
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横道 治男
富山県立大工
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天野 富大
富山県立大工
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林 亨
富山県立大工
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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金井 直樹
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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服部 亮
三菱電機
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安達 正利
富山県立大学工学部電子情報工学科
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奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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米澤 保人
石川県工試
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西村 悟
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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亀崎 浩司
北陸先端科学技術大学院大学
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工藤 昭吉
北陸先端科学技術大学院大学
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部家 彰
石川県工業試験場
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高野 昌宏
石川県工業試験場
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梅本 宏信
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
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増田 淳
Japan Advanced Institute of Science and Technology
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仁木 敏一
Ishikawa Seisakusho, Ltd.
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部家 彰
Industrial Research Institute of Ishikawa
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南川 俊治
Industrial Research Institute of Ishikawa
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梅本 宏信
Japan Advanced Institute of Science and Technology
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松村 英樹
Japan Advanced Institute of Science and Technology
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瀬里 泰洋
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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三好 正毅
山口大学工学部電気電子工学科
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橋本 康平
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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高尾 和久
東京応化工業株式会社プロセス機器事業本部
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石橋 知淳
東京応化工業株式会社プロセス機器事業本部
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高野 昌宏
石川県工試
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部家 彰
石川県工試
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仁木 敏一
石川県工試
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室井 進
石川製作所
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梅本 宏信
北陸先端大
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松村 英樹
北陸先端大
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戸塚 正裕
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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服部 亮
株式会社イオン工学研究所
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柄澤 稔
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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石橋 啓次
アネルバ株式会社次世代技術研究所
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田中 雅彦
アネルバ株式会社次世代技術研究所
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末松 久幸
長岡技科大極限エネルギー密度工学研究センター
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末松 久幸
長岡技科大
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坂井 穣
北陸先端科学技術大学院大
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江龍 修
名古屋工業大学
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秋山 治大
名古屋工業大学
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中嶋 堅志郎
名古屋工業大学
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安達 正利
富山県立大
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的場 将晃
富山県大工
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中嶋 堅志郎
名古屋工大工学部
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先間 宏行
富山県大工
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林 亭
富山県大工
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中澤 透
富山県大工
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工藤 昭吉
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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浜田 弘喜
三洋電機株式会社 先進太陽光発電開発センター
著作論文
- SC-8-6 Cat-CVD法による poly-Si TFT の低温形成とその特性
- 触媒体上でのNF_3ガス分解反応を用いた低コスト・低環境負荷チャンバークリーニング法の開発
- ケミカル・スパッタリング法による巨大粒径poly-Si薄膜の作製
- Cat-CVD法による低温poly-Si膜形成とTFTへの応用
- Cat-CVD SiNx膜の面内均一性向上に関する検討
- 触媒CVD法によるガリウムヒ素表面清浄化とシリコン窒化膜堆積
- 触媒CVD(Cat-CVD)法による低温薄膜形成
- Cat-CVD法による窒化シリコン薄膜の低温堆積 : 気相診断と膜質評価(半導体エレクトロニクス)
- 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- CS-5-7 Cat-CVD法により作製した窒化シリコン膜の特性とデバイス応用(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- Cat-CVD 法によるガスバリア膜の低温形成
- Cat-CVD法の包装用ガスバリアフィルム製造工程への適用 (特集 マーケット創出の成否を決する次世代パッケージング) -- (未来のマーケットを支える技術と商品開発)
- ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 : 結晶成長と水素の関係(シリコン関連材料の作製と評価)
- 加熱触媒体により発生させた水素原子によるプラズマレス・レジスト剥離技術(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cat-CVD法により形成したSiNx膜の応力制御(S05-3 薄膜の強度物性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
- Cat-CVD法で作製したSiN_x膜のGaAsトランジスタ保護膜への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- Cat-CVD技術の現状と将来展望 : 気相診断からデバイス応用まで
- Cat-CVD法によるアモルファスシリコン太陽電池の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cat-CVD法によるアモルファスシリコン太陽電池の作製
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- [招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 触媒化学気相成長法による1mサイズ基板上への均一堆積技術開発
- Cat-CVD法によるTFT作製
- Cat-CVD法によるTFT作製 (低温ポリSi TFTと有機EL技術)
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- [招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- [招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- Cat-CVD/レーザアブレーション複合プロセスで作製したEr添加a-Si:H薄膜の発光特性
- Cat-CVD法によるTFT作製
- 低温触媒CVD装置の開発 (特集/新規事業創出と大学発ベンチャー)
- Cat-CVD法による低温poly-Si膜形成とTFTへの応用
- 31p-YJ-9 種々の条件で作製されたa-C:Nの基礎特性と光誘起現象
- 5a-A-11 フッ素化アモルファスカーボンの構造欠陥と光誘起効果
- 低誘電率フッ素化アモルファスカーボンの作製
- 合同セッションD「プラズマCVDの基礎と応用」
- 次世代材料用新薄膜作製技術の基礎と応用
- 触媒化学気相成長法 : 最近の進展と今後の展望
- Cat-CVD法による薄膜トランジスタ製造技術の最近の進展
- 触媒化学気相成長法によるアモルファスシリコンの成膜とデバイス応用
- 触媒CVD技術の大面積次世代ディスプレイへの適用
- Cat-CVD法による微結晶シリコン膜の作成とデバイス応用 (アモルファス半導体と関連物質--乱れた系、アモルファス半導体、微結晶半導体 特集号) -- (4.微結晶シリコン)