下田達也 | Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology

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概要

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著作論文

ツボの選択を目的とした負荷動作のweb用三次元CGの開発
[招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
インクジェット成膜 : 微小液滴の挙動
インクジェット有機薄膜 (特集有機エレクトロニクスの新展開)
Extraction Technique of Trap Density at Grain Boundaries in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors with Device Simulation
High-Performance Polyclystalline Silicon Thin-Film Transistors with Low Trap Density at the Gate-SiO2/Si Interface Fabricated by Low-Temperature Process
Classification of Driving Methods for TFT-OLEDs and Novel Proposal Using Time Ratio Grayscale and Current Uniformization(Electronic Displays)
マイクロ液体から直接に薄膜デバイスを形成する技術-マイクロ液体プロセス- : 2. 無機薄膜への適用と興味ある応用
マイクロ液体から直接に薄膜デバイスを形成する技術-マイクロ液体プロセス- : 1. マイクロ液体プロセスの概要と有機デバイスへの適用
High Performance P-Channel Single-Crystalline Si TFTs Fabricated Inside a Location-Controlled Grain by μ-Czochralski Process(Electronic Displays)
表側と裏側の絶縁膜界面にトラップ準位をもつポリシリコン薄膜トランジスタのデバイスシミュレーション(ディスプレイ-IDW'03関連-)
インクジェット印刷法による有機半導体形成(新しいパターン形成における材料・プロセス技術)
Extraction of Trap Densities at Front and Back Interfaces in Thin-Film Transistors
Poly-Si TFT特性の酸化膜界面トラップと結晶粒界トラップに対する依存性およびその製造プロセス診断への応用(半導体Si及び関連材料・評価)
High-Quality Gate-SiO_x and SiO_x/Si Interface Formation at Low Temperature Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
マイクロ液体プロセスを用いた電子デバイス(フラットパネルディスプレイの製造技術)
[招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
[招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
Numerical Model of Thin-Film Transistors for Circuit Simulation Using Spline Interpolation with Transformation by y=x + log(x)(Regular Section)
多結晶シリコン薄膜トランジスタの絶縁膜-シリコン界面と結晶粒界のトラップ準位の抽出(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
Extraction of Trap State at the Oxide-Silicon Interface and Grain Biundary in Polycrystallune Silicon Thin-Film Transistors
Device Simulation of Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and Analysis of Dependence on Defect Density
多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性解析とシミュレーション
多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性解析とシミュレーション
SC-8-13 TFTの高性能化とその応用
低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ駆動発光ポリマーディスプレイ
Extraction of Trap States at the Oxide-Silicon Interface and Grain Boundary for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors : Semiconductors
Current Density Enhancement at Active Layer Edges in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors : Semiconductors
解説記事有機トランジスタの進歩
Device Simulation of Carrier Transport through Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and Dependence on Dopant Density : Semiconductors
Current Paths over Grain Boundaries in Polycrystalline Silicon Films : Semiconductors
High-Quality SiO_2/Si Interface Formation and Its Application to Fabrication of Low-Temperature-Processed Polycrystalline Si Thin-Film Transistor(Semiconductors)
Device Simulation of grain Boundaries with Oxide-Silicon Interface Roughness in Laser-Crystallized Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
24.4:Investigation of Hot Carrier Degradation Due to AC Stress in Low Temperature Poly-Si TFTs(発表概要)(Report on 2000 SID International Symposium)

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