Poly-Si TFT特性の酸化膜界面トラップと結晶粒界トラップに対する依存性およびその製造プロセス診断への応用(半導体Si及び関連材料・評価)

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概要

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• Poly-Si TFT特性の,酸化膜界面トラップ(Dit)と結晶粒界トラップ(Dgb)の密度に対する依存性を解析した.最初に実際のトラップ密度を,低周波数C-V特性とI-V特性から,著者らが開発した抽出方法により抽出する.次に,TFT特性の依存性を,デバイスシミュレーションを用いて,これらのトラップ密度を実際のものから変化させて解析する.閾値下スイングと閾値電圧は主にDitに依存し,一方,トランジスタ移動度はDgbに依存することがわかる.これらの結果を製造プロセス診断に応用すると,酸素プラズマ処理はDitを低減し,一方,ゲート酸化膜のPECVD-TEOSはDgbを生成することがわかる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-12-12

著者

• 木村 睦

  龍谷大学電子情報学科

• 井上 聡

  セイコーエプソン株式会社フロンティアデバイス研究所

• 井上 聡

  セイコーエプソン(株)フロンティアデバイス研究所

• 下田 達也

  セイコーエプソン 基盤技術研究所

• 下田 達也

  Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology

• 下田 達也

  セイコーエフ゜ソン株式会社 Tprc 第四研究ク゛ルーフ゜

• 木村 睦

  Department Of Electronics And Informatics Ryukoku University

• SHIMODA Tatsuya

  Seiko Epson Corporation

• Shimoda Tatsuya[

  Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation

• Inoue S

  Seiko Epson Corporation

• 木村 睦

  龍谷大学 理工学部 電子情報学科

• 下田 達也

  Seiko Epson Corporation

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