超臨界法による強誘電体薄膜の形成(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
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概要
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我々は、これまでにゾルゲル法による新規強誘電体材料(BIT+Biシリケート(K1), SBT+Biシリケート(K2))の優れた強誘電特性を報告してきた。今回は、大面積被覆技術として超臨界状態のC0_2をキャリアガスに用いた新規成膜法を試み、特性評価を行うと共にリーク電流特性の改善を試みた。K1、K2共に良好なヒステリシス特性を示し、緻密、平滑な表面モフォロジーを有していた。一方、リーク電流特性は、ボストア二ールの酸素雰囲気を加圧環境とすることで、改善されることを見出した。9atm酸素雰囲気を用いた際の薄膜は、5V印加時で1E-7A/cm^2であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-11
著者
-
柄澤 潤一
セイコーエプソン
-
下田 達也
セイコーエプソン 基盤技術研究所
-
下田 達也
セイコーエプソン(株)テクノロジープラットフォーム研究所
-
下田 達也
セイコーエプソン(株)
-
下田 達也
セイコーエフ゜ソン株式会社 Tprc 第四研究ク゛ルーフ゜
-
柄澤 潤一
セイコーエフ゜ソン株式会社 Tprc 第四研究ク゛ルーフ゜
-
濱田 泰彰
セイコｰエプソン(株)
-
木島 健
セイコｰエプソン(株)
-
木島 健
セイコーエフ゜ソン株式会社 TPRC 第四研究ク゛ルーフ゜
-
濱田 泰彰
セイコーエフ゜ソン株式会社 TPRC 第四研究ク゛ルーフ゜
-
大橋 幸司
セイコーエフ゜ソン株式会社 TPRC 第四研究ク゛ルーフ゜
-
名取 栄治
セイコーエフ゜ソン株式会社 TPRC 第四研究ク゛ルーフ゜
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