多結晶シリコン薄膜トランジスタの絶縁膜-シリコン界面と結晶粒界のトラップ準位の抽出(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)

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概要

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• 多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)において,絶縁膜-シリコン界面のトラップ準位(界面トラップ)密度と結晶粒界のトラップ準位(粒界トラップ)密度を抽出する手法を開発した.本抽出手法によれば,低周波数の容量-電圧特性から,界面トラップが抽出できる.poly-Si膜中のポテンシャル分布とキャリヤ密度分布も抽出される.ポテンシャル分布,キャリヤ密度分布と電流-電圧特性から,結晶粒界でのポテンシャルバリヤを考慮することにより,粒界トラップが抽出できる.本抽出手法を用いて,レーザ結晶化poly-SiTFTにおいて,実際のトラップ準位を抽出した.界面トラップは深い準位を含み,ダングリングボンドに起因していると思われる.粒界トラップは裾状準位からなり,Si結合ひずみに起因していると思われる.更に,自己発熱による劣化を解析した.劣化後は,界面トラップが増加する.これは,Si-H結合が解離し,ダングリングボンドが生成されることを意味する.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-07-25

著者

• 木村 睦

  龍谷大学電子情報学科

• 井上 聡

  セイコーエプソン株式会社フロンティアデバイス研究所

• 井上 聡

  セイコーエプソン(株)フロンティアデバイス研究所

• 下田 達也

  セイコーエプソン 基盤技術研究所

• 下田 達也

  Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology

• 下田 達也

  セイコーエフ゜ソン株式会社 Tprc 第四研究ク゛ルーフ゜

• 木村 睦

  Department Of Electronics And Informatics Ryukoku University

• 木村 睦

  セイコーエプソン(株)基盤技術研究所

• SHIMODA Tatsuya

  Seiko Epson Corporation

• TAM Simon

  Cambridge Research Laboratory of Epson

• 野澤 陵一

  セイコーエプソン株式会社OLED技術開発部

• Lui BaSil

  エプソンケンブリッジ研究所

• Tam Simon

  エプソンケンブリッジ研究所

• Migliorato Piero

  ケンブリッジ大学工学部

• Tam S

  Cambridge Research Laboratory Of Epson

• Lui B

  Epson Cambridge Lab. Cambridge Gbr

• 木村 睦

  セイコーエプソン 基盤技研

• Kimura Mutsumi

  Ryukoku University:innovative Materials And Processing Research Center

• Nozawa Ryoichi

  Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation

• Migliorato Piero

  Univ. Cambridge Cambridge Gbr

• Shimoda Tatsuya[

  Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation

• Inoue S

  Seiko Epson Corporation

• 木村 睦

  龍谷大学 理工学部 電子情報学科

• 下田 達也

  Seiko Epson Corporation

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