Extraction of Trap States at the Oxide-Silicon Interface and Grain Boundary for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors : Semiconductors
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 2001-09-15
著者
-
木村 睦
龍谷大学電子情報学科
-
井上 聡
セイコーエプソン株式会社フロンティアデバイス研究所
-
下田 達也
Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology
-
木村 睦
Department Of Electronics And Informatics Ryukoku University
-
SHIMODA Tatsuya
Seiko Epson Corporation
-
TAM Simon
Cambridge Research Laboratory of Epson
-
野澤 陵一
セイコーエプソン株式会社OLED技術開発部
-
Lui BaSil
エプソンケンブリッジ研究所
-
Migliorato Piero
ケンブリッジ大学工学部
-
Tam S
Cambridge Research Laboratory Of Epson
-
Lui B
Epson Cambridge Lab. Cambridge Gbr
-
INOUE Satoshi
Base Technology Research Center, Seiko Epson Corp.
-
SHIMODA Tatsuya
Base Technology Research Center, Seiko Epson Corp.
-
KIMURA Mutsumi
Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation
-
NOZAWA Ryoichi
Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation
-
LUI Basil
Epson Cambrodge Laboratory
-
TAM Simon
Epson Cambridge Laboratory
-
MIGLIORATO Piero
Department of Engineering, University of Cambridge
-
Kimura Mutsumi
Ryukoku University:innovative Materials And Processing Research Center
-
Nozawa Ryoichi
Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation
-
Migliorato Piero
Univ. Cambridge Cambridge Gbr
-
Migliorato Piero
Department Of Engineering University Of Cambridge
-
Shimoda Tatsuya
Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation
-
Shimoda Tatsuya[
Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation
-
Inoue S
Seiko Epson Corporation
-
木村 睦
龍谷大学 理工学部 電子情報学科
-
Kimura Mutsumi
Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation
-
下田 達也
Seiko Epson Corporation
-
Lui Basil
Epson Cambridge Laboratory, 8c King's Parade, Cambridge CB2 1SJ, United Kingdom
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