High-Performance Polyclystalline Silicon Thin-Film Transistors with Low Trap Density at the Gate-SiO2/Si Interface Fabricated by Low-Temperature Process

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概要

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• Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文

著者

• 井上 聡

  セイコーエプソン株式会社フロンティアデバイス研究所

• 下田 達也

  Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology

• Abe Daisuke

  Frontier Device Research Center Seiko Epson Corporation

• Shimoda Tatsuya

  Seiko Epson Corp. Nagano Jpn

• Inoue S

  Seiko Epson Corporation

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