[招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
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概要
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触媒化学気相成長(Cat-CVD)法により作製したアモルファスシリコン(a-Si:H)膜を、エキシマレーザアニール(ELA)による結晶化のためのプリカーサとして用いた場合の結晶性について紹介する。Cat-CVD法で作製したa-Si:H膜では、300℃程度の低温堆積ながらも膜中水素含有量を1 at. %程度にまで低減可能であるため、事前の脱水素処理を施さなくてもELAによる結晶化が可能である。Cat-CVD法で作製後に脱水素処理を施さずに結晶化させた場合には、プラズマ化学気相成長(PECVD)法で作製後に脱水素処理を施したプリカーサを結晶化させた場合と比較して、結晶性の向上が確認された。Cat-CVD法ではプリカーサの高速、大面積堆積が可能なことも、本手法の優位性を主張できる点である。Cat-CVD法で成膜したプリカーサを用いてトップゲート型薄膜トランジスタ(TFT)を作製したところ、低圧化学気相成長(LPCVD)法で成膜したプリカーサを用いて同一工程で作製したTFTと概ね同等の特性を示し、移動度は230 cm^2/Vsに達した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-08
著者
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
-
下田 達也
セイコーエプソン 基盤技術研究所
-
増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
-
増田 淳
北陸先端大
-
余頃 祐介
北陸先端科学技術大学院大学
-
宮下 一幸
セイコーエプソン株式会社・テクノロジープラットフォーム研究所
-
下田 達也
Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology
-
下田 達也
セイコーエフ゜ソン株式会社 Tprc 第四研究ク゛ルーフ゜
-
余頃 祐介
北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
-
増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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