Cat-CVD装置を用いたULSI材料の表面窒化とエッチング
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概要
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触媒CVD装置中の加熱タングステンにより生成したNH_3もしくはH_2分解種によるULSI材料の表面窒化,エッチングについて報告する.NH_3分解種によりSiO_2/Si(100)表面が300℃程度で窒化できることを明らかにした.SIMS測定から窒化層はSiO_2の最表面に位置していることを明らかにした.また,原子状水素により,高イオン注入(1x10^<16>cm^<-2>)したフォトレジストの除去にも適応できることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-24
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