制限反応スパッタ法によるZrO_2の成長とゲート絶縁膜特性
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概要
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金属Zrと酸素を基板上で反応させる制限反応スパッタ法によりZrO_2膜を堆積し、その特性の評価を行っている。本報告では基板温度を室温〜300℃+酸素流量比を3.4%〜10.3%の間で変化させ堆積を行い、Zr-Silicate層の薄い良好な高誘電率膜が得られる条件を探った。漏れ電流特性においては酸素流量比を増加させるに従って漏れ電流が抑制される傾向にあった。比誘電率については基板温度を上げるに従い向上し、基板温度300℃・酸素流量比4.2%において最適値を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-14
著者
-
佐々木 公洋
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
畑 朋延
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
畑 朋延
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川
-
和泉 亮
北陸先端科学技術大学院大学
-
河合 賢太郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
蓮 達弘
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
文珠 康真
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
佐々木 公洋
金沢大学大学院自然科学研究科
-
河合 賢太郎
金沢大学大学院自然科学研究科
-
佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
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