制限反応スパッタ法によるZrO_2 High-k絶縁膜作製における堆積遅れ時間(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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SiO_2膜に替わる高誘電率ゲート絶縁膜として, ZrO_2薄膜の成長機構について検討している.金属ターゲットを用いて酸化膜を堆積できる「制限反応スパッタ法」により, Si基板上に300℃にてZrO_2を堆積させたところ, 堆積を開始したにもかかわらず膜厚として観測されない空白の時間「堆積遅れ時間(Deposition Delay Time)」を経て, 時間に比例した膜成長が生じることが分かった.これは本手法にて堆積させたときに現れる特有の現象であり, 再現性も高いことから, 表面反応および膜成長に関する特殊なメカニズムが存在していることが示唆される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-03
著者
-
佐々木 公洋
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
米澤 保人
石川県工業試験場
-
杉山 英孝
金沢大学大学院自然科学研究科
-
佐々木 公洋
金沢大学大学院自然科学研究科
-
小原 一顕
金沢大学大学院自然科学研究科
-
佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
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