反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO2系薄膜の金属モード成長
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の低温・高速堆積用の固体酸素供給源による反応性スパッタ法の提案
-
制限反応スパッタ法によるZrO_2の成長とゲート絶縁膜特性
-
劣化エピタキシャル成長した作製されたSiGe薄膜の熱電性能 : 基板の影響(薄膜プロセス・材料,一般)
-
制限反応スパッタ法によるゲート絶縁膜用ZrO_2薄膜のアニール効果の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
-
制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜作製における成長遅れ時間(薄膜プロセス・材料,一般)
-
制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜作製における成長遅れ時間
-
酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置(薄膜プロセス・材料,一般)
-
酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置
-
混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製(薄膜プロセス・材料,一般)
-
混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製
-
制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
-
Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
-
Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
-
イオンビームスパッタ法によりSiGe成長における水素導入効果
-
反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
-
反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
-
Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
-
金属/酸化物モードによるゲート絶縁膜用YSZ超薄膜の形成
-
IBS法による選択BドープSi/Ge周期構造の作製とその電気的特性
-
IBS法によるSi基板上Geの成長過程とSi/Ge超格子構造
-
ECRプラズマCVDによるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
-
ECRプラズマCVDによるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
-
制限反応スパッタ法によるZrO_2 High-k絶縁膜作製における堆積遅れ時間(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
-
Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
-
Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
-
金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
-
金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
-
金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
-
金属モードスパッタリングによるエピタキシャル高・強誘電体薄膜の作製
-
Si, Geのイオンビームスパッタ過程のモンテカルロシミュレーション
-
SiGeのIBSによるエピタキシャル成長 : 斜め入射スパッタ過程のシミュレーション
-
IBSによるSiGeエピタキシャル成長の基礎特性
-
反応性スパッタリングの新しい展開 : ターゲット構造からのアプローチ
-
PD13 トランスジューサ法PASによる横方向熱伝搬に基づく板状試料の熱拡散率測定(ポスターセッション1)
-
新しいスパッタ堆積モードによるPZT薄膜の低温作製
-
反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO2系薄膜の金属モード成長
-
イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
-
イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
-
IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGe層の表面ラフネス制御(薄膜プロセス・材料,一般)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク