Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

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概要

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イオンビームスパッタ(IBS)法を用いて、Si/GeB超格子構造の作製とその評価を行っている。本報告はその初期段階として、Si層の結晶性および表面形態の向上を目的に、スパッタガスをKr、Xeとした場合でのSi、Ge膜の評価を行った。まず、スパッタリングシミュレーションを用いて検討したところ、Arに比べKr、Xeはターゲット表面から放出される粒子の運動エネルギーが低いことがわかった。粒子の低エネルギー化により、膜の初期成長に与えるダメージが小さく良質な膜ができると考えられる。次に実験により検討したところ、Ge膜ではあまり変化がみられなかったが、Si膜の結晶性は向上し、スパッタダメージの低減の効果が得られたといえる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-05-17

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