畑 朋延 | 金沢大学大学院 自然科学研究科
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概要
関連著者
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畑 朋延
金沢大学大学院 自然科学研究科
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佐々木 公洋
金沢大学大学院 自然科学研究科
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畑 朋延
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川
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佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
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金沢大学大学院自然科学研究科
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池田 乙元
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北居 正弘
金沢大学大学院 自然科学研究科
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IHIエアロスペース
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近田 晴彦
金沢大学大学院 自然科学研究科
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杉野 誠
金沢大学大学院 自然科学研究科
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北居 正弘
金沢大学自然科学研究科
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高橋 幸大
金沢大学工学部
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河合 賢太郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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蓮 達弘
金沢大学大学院 自然科学研究科
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吉森 和也
金沢大学大学院 自然科学研究科
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皆森 雅文
金沢大学大学院自然科学研究科
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高橋 幸大
金沢大学大学院自然科学研究科
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河合 賢太郎
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米山 猛
金沢大学工学部人間機械工学科
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米山 猛
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金沢大学大学院自然科学研究科
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川西 琢也
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金沢大学工学部
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畑 朋延
村田製作所
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和泉 亮
北陸先端科学技術大学院大学
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村田製作所
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井上 和裕
村田製作所
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竹内 雅樹
村田製作所
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吉野 幸夫
株式会社村田製作所技術開発本部第3開発グループ開発1部
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竹内 雅樹
株式会社村田製作所技術開発本部第3開発グループ開発1部
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井上 和裕
株式会社村田製作所技術開発本部第3開発グループ開発1部
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牧野 孝裕
株式会社村田製作所技術開発本部第3開発グループ開発1部
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文珠 康真
金沢大学大学院 自然科学研究科
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藤田 政之
金沢大学工学部 電気電子システム工学科
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藤田 政之
東京工業大学大学院理工学研究科
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川西 琢也
金沢大
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株式会社ルネサステクノロジ
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畑 朋延
金沢大 工
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
金沢大学大学院自然科学研究科
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永田 喜也
金沢大学大学院自然科学研究科
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佐々木 健次
金沢大学工学部
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佐々木 健次
金沢大学大学院自然科学研究科
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鍋谷 定孝
金沢大学大学院自然科学研究科
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藤田 政之
金沢大
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藤田 政之
北陸先端科学技術大学院大学 情報科学研究科
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荒井 晴市
村田製作所
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荒井 晴市
株式会社村田製作所技術開発本部第3開発グループ開発1部
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米山 猛
金沢大学
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米山 猛
金沢大
著作論文
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnO圧電薄膜のバルク弾性波素子への応用 : 異なる周波数領域でのゼロ温度係数圧電共振子の可能性
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2の成長とゲート絶縁膜特性
- (57)ビデオ撮影による授業の自己評価(第16セッション 教育評価・自己点検・評価システム(I))
- 混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
- 金属/酸化物モードによるゲート絶縁膜用YSZ超薄膜の形成
- IBS法による選択BドープSi/Ge周期構造の作製とその電気的特性
- IBS法によるSi基板上Geの成長過程とSi/Ge超格子構造