北居 正弘 | 金沢大学自然科学研究科

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• 佐々木 公洋

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 北居 正弘

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• 佐々木 公洋

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• 北居 正弘

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• 池田 乙元

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 佐々木 公洋

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• 畑 朋延

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  IHIエアロスペース

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• 池田 乙元

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• 渡瀬 博之

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著作論文

• 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)

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