超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))

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概要

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イオンビームスパッタ(IBS)法を用いて、Si/GeB超格子構造の作製とその熱電特性について検討を行った。本報告では基板温度、基板を変化させて成膜を行い、常温において大きなゼーベック係数を得られる条件を探った。基板温度変化においては、室温で堆積したもので最も大きなゼーベック係数が得られた。しかし、基板温度が500℃では急激に減少してしまった。また、エピタキシャル成長による影響を検討するため、Si基板上にSiO_2を付けその上に堆積を行ったところ、Si基板上に堆積したものと同じような傾向がみられ、大きなゼーベック係数を得るには、必ずしもエピタキシャル成長している必要はなく、周期構造が重要であることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2003-05-09

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