SiGeのIBSによるエピタキシャル成長 : 斜め入射スパッタ過程のシミュレーション
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概要
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SiおよびGeのイオンビームスパッタリングのシミュレーションを行うとともに, この結果を実験結果と比較し, 各々の過程を解析しつつシミュレーションの妥当性について検討した. シミュレーション結果として, スパッタリング収量, エネルギー分布, 放出角分布, 表面反跳Ar粒子の特性が得られた. また, 基板位置による基板到達粒子数分布 (計算値) と堆積速度分布 (実験結果) からスパッタ粒子の飛程分布求めたところ, Siターゲットの場合については両者がほぼ一致したが, Geターゲットの場合には結果にずれが見られた.
- 1997-10-31
著者
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