Si, Geのイオンビームスパッタ過程のモンテカルロシミュレーション
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概要
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SiおよびGeのイオンビームスパッタリングのシミュレーションを行うと共に, この結果を実験結果と比較し, 各々の過程を解析しつつシミュレーションの妥当性について検討した.シミュレーション結果として, スパッタリング収量, エネルギー分布, 放出角分布, 表面反跳Ar粒子の特性が得られた.また, 基板位置による基板到達粒子数分布(計算値)と堆積速度分布(実験結果)からスパッタ粒子の飛程分布求めたところ, Siターゲットの場合については両者がほぼ一致したが, Geターゲットの場合ずれが見られた.更に基板位置により実際の膜の表面粗さに違いが見られた.これは到達粒子のエネルギーの違いによると推測される.
- 1998-02-25
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