PDP用カソード(La_<0.5>Sr_<0.5>CoO_3)の放電集中の低減と寿命特性の改善
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ネオンガスの発光を使用したDC型プラズマディスプレイはカソード材料としてプロブスカイト型の導電性酸化物(La_<0.5>Sr_<0.5>CoO_3)を使用することで, 低消費電力化を行うことが可能である.しかしながら16階調表示PDPを実現するためには, 低階調表示で放電不安定のために生じる放電のちらつき, 及び局所的な放電収縮とそれに伴うスパッタリングの急速な進行という解決すべき課題があった.この課題を解決するには, カソード材料に絶縁物アルミナを添加することで改善できることを見出した.更に絶縁添加材料の検討を進める中で, チタン酸バリウムが効果的な添加材料であることを見出した.
- 2000-04-25
著者
-
畑 朋延
金沢大学工学部電気電子システム工学科
-
畑 朋延
金沢大学工学部
-
畑 朋延
金沢大 工
-
一番ヶ瀬 剛
松下電子工業株式会社 撮像管事業部
-
一番ヶ瀬 剛
松下電子工業株式会社電子総合研究所照明研究部
-
一番ヶ瀬 剛
松下電子工業
-
畑 朋延
金沢大学工学部電気・情報工学科
関連論文
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の低温・高速堆積用の固体酸素供給源による反応性スパッタ法の提案
- (99)MOTコース企画・実施例(セッション29 MOT教育(技術経営・技術政策教育)I)
- 49 GPAの導入と成績評価の厳格化(教育評価・自己点検・評価システムII,第13セッション)
- 3-19 CdS音響ドメインによる透過光変調機構(一般講演)
- (93)金沢大学工学部版教師必携とその有効活用(第25セッション 国際化時代における工教育(II),ファカルティ・デベロップメント(II))
- (58)卒業生による第2回アウトカムズ評価結果の分析(第16セッション 教育評価・自己点検・評価システム(I))
- 卒業生による教育目標のアウトカムズ評価法
- 11mm単管カラー用撮像管の開発
- 4)11mm単管カラー用撮像管の開発(テレビジョン電子装置研究会(第128回))
- 11mm単管カラー用撮像管の開発
- 2-11 新しい活性化マグネトロンスパッタ法によるZnO,AlN圧電厚膜の高速作成(一般講演)
- Synthesis of Aluminium Nitride Film by Reactive DC Ion Plating
- (54)卒業生によるアウトカムズ評価の実施 : アンケートによる教育目標の達成度判定の試行例(教育評価(II),第13セッション)
- (57)ビデオ撮影による授業の自己評価(第16セッション 教育評価・自己点検・評価システム(I))
- F-2 超音波打ち込みによる非晶質As_2S_3の特性変化(一般講演)
- イオンビームスパッタ法によりSiGe成長における水素導入効果
- 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
- 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
- ECRプラズマCVDによるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
- ECRプラズマCVDによるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
- G-2 透明トランスジューサ法PASおよび光・熱偏向分光法(PDS)による表面状態の検討(光音響)
- P-6 透明トランスジューサを用いたCdSの光音響分光測定(ポスター・セッション)
- D-10 トランスジューサ法によるCdSの光音響分光測定(音波物性II)
- PA28 プローブ光の強度分布を考慮した差動型PDSの検討(II)(ポスタセッションA-概要講演・展示)
- PA23 プローブ光の強度分布を考慮した差動型PDSの検討(ポスターセッションA)
- PB6 差動型光熱偏向分光法による半導体の光学的・熱的評価(ポスターセッション概要講演)
- PA20 透明トランスジューサ法PASによる半導体熱物性の評価(ポスタセッションA-概要講演・展示)
- 透明トランスジューサ法PASによる半導体熱物性の評価
- PA24 透明トランスジューサ法PASにおける焦電効果による信号の解析(ポスターセッションA)
- PB5 透明トランスジューサ法PASの光音響信号における圧電と焦電効果の影響(ポスターセッション概要講演)
- 2PJ-5 透明トランスジューサ法PASにおける光音響信号の理論解析(光音響,ポスターセッション(概要講演))
- 1-PG-5 透明トランスジューサ法PASにおける積層構造試料の信号発生機構(1-P.ポスターセッション(概要講演))
- D-17 透明トランスジューサを用いた光音響分光法による多層構造・深さ方向の評価(ポスターセッション)
- 反応性スパッタリングによる酸化物薄膜の作製
- B-3 透明トランスジューサを用いた光音響分光法(PAS)によるイオン打ち込みしたSiの評価(ポスターセッション)
- C-3 光熱偏向分光法(PDS)によるIII-V族半導体の評価(光音響分光法)
- P-30 光・熱偏向分光法によるSi薄膜の光吸収係数の測定(ポスター・セッション)
- タ-ゲット材料の将来展望
- 情報表示用DC型カラープラズマディスプレイの寿命特性の改善
- PDP用カソード(La_Sr_CoO_3)の放電集中の低減と寿命特性の改善
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
- ネオンオレンジDC型プラズマディスプレイの低消費電力化
- 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
- 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
- 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
- 金属モードスパッタリングによるエピタキシャル高・強誘電体薄膜の作製
- Si, Geのイオンビームスパッタ過程のモンテカルロシミュレーション
- SiGeのIBSによるエピタキシャル成長 : 斜め入射スパッタ過程のシミュレーション
- IBSによるSiGeエピタキシャル成長の基礎特性
- 反応性スパッタリングの新しい展開 : ターゲット構造からのアプローチ
- 新しいスパッタ堆積モードによるPZT薄膜の低温作製
- 磁界圧着形マグネトロンスパッタ法によるa-Si薄膜の作成と特性
- 3-18 印加パルスの立上り時間を変化した場合のCdS音響ドメインの周波数スペクトル(一般講演)
- 注入超音波束によるCdS高電界ドメインの新しい制御法
- 38. 無電極InBrランプの失透抑制に関する検討((2)光源・回路・放電現象(II)(HIDランプ関係・その他))
- 非晶質As2S3における光・音響効果