反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
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概要
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反応性スパッタ法を用いて新しい酸化物の製膜法を提案している。金属ターゲットをターゲット室に収納しアパーチャのついた覆いをかけるとスパッタされた金属原子がターゲット室の内壁に堆積し酸素ガスと反応する。これにより、ターゲット室の酸素分圧は下がりターゲット表面は酸化されず金属モードスパッタリングが持続する。この堆積法により金属原子の還元作用を利用してSi(100)基板上に800℃で良質のYSZ(イットリア安定化ジルコニア)をエピタキシャル成長させている。本法で作製したYSZ/Si構造の界面にはSi酸化層は見られなかったが、YSZ遷移層があることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-28
著者
-
佐々木 公洋
金沢大学工学部
-
畑 朋延
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川
-
畑 朋延
金沢大学工学部
-
蓮 達弘
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
畑 朋延
自然科学研究科
-
蓮 達弘
自然科学研究科
-
佐々木 健次
金沢大学工学部
-
佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
-
蓮 達弘
金沢大学工学部/自然科学研究科
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