イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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イオンビームスパッタ法を用いたSiGe膜のエピタキシャル成長について調査している.スパッタリング過程における成長膜表面への照射効果はエピタキシャル成長に関して重要である.照射損傷はスパッタリングガスの原子量を変えることによって制御可能である.SiGe膜の歪みは,加速電圧を変えることによって制御可能である.結晶性の悪いSiGe合金膜の熱電特性を調べたところ1.5mV/Kおよび7.1×10^<-2>Wm^<-1>K^<-2>という大きな熱起電力が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-23
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