佐々木 公洋 | 金沢大学大学院自然科学研究科
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概要
関連著者
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佐々木 公洋
金沢大学大学院自然科学研究科
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佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
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佐々木 公洋
金沢大学大学院 自然科学研究科
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畑 朋延
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川
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畑 朋延
金沢大学大学院 自然科学研究科
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池田 乙元
金沢大学大学院自然科学研究科
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池田 乙元
金沢大学大学院 自然科学研究科
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北居 正弘
金沢大学自然科学研究科
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北居 正弘
金沢大学大学院 自然科学研究科
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森田 信一
IHIエアロスペース
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蓮 達弘
金沢大学大学院 自然科学研究科
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周 英
金沢大学大学院自然科学研究科
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杉山 英孝
金沢大学大学院自然科学研究科
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近田 晴彦
金沢大学大学院 自然科学研究科
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杉野 誠
金沢大学大学院 自然科学研究科
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佐々木 公洋
金沢大学工学部
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畑 朋延
金沢大学工学部
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河合 賢太郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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小島 述央
金沢大学大学院自然科学研究科
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山岸 大朗
金沢大学工学部
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千葉 忍
金沢大学大学院 自然科学研究科
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元木 詮
CBC株式会社
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伊藤 昭彦
芝浦メカトロニクス株式会社
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吉森 和也
金沢大学大学院 自然科学研究科
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畑 朋延
自然科学研究科
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佐々木 健次
金沢大学工学部
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河合 賢太郎
金沢大学大学院自然科学研究科
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渡瀬 博之
金沢大学自然科学研究科
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高橋 幸大
金沢大学工学部
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和泉 亮
北陸先端科学技術大学院大学
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岡本 庸一
防衛大機能材料
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守本 純
防衛大機能材料
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文珠 康真
金沢大学大学院 自然科学研究科
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米澤 保人
石川県工業試験場
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
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守本 純
防衛大学校材料物性工学
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守本 純
防衛大学校 電気情報学群
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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的場 彰成
金沢大学大学院自然科学研究科
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早平 寿夫
金沢大学大学院自然科学研究科
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都築 崇博
金沢大学大学院自然科学研究科
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岡本 庸一
防衛大学校
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猪阪 直也
金沢大学大学院自然科学研究科
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薮内 誠
金沢大学大学院自然科学研究科
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永田 喜也
金沢大学大学院自然科学研究科
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池田 乙元
自然科学研究科
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蓮 達弘
自然科学研究科
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小原 一顕
金沢大学大学院自然科学研究科
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山本 純
金沢大学自然科学研究科
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坂口 勇太
金沢大学自然科学研究科
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成瀬 公博
金沢大学自然科学研究科
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蓮 達弘
金沢大学工学部/自然科学研究科
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池田 乙元
金沢大学工学部/自然科学研究科
著作論文
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2の成長とゲート絶縁膜特性
- 劣化エピタキシャル成長した作製されたSiGe薄膜の熱電性能 : 基板の影響(薄膜プロセス・材料,一般)
- 制限反応スパッタ法によるゲート絶縁膜用ZrO_2薄膜のアニール効果の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜作製における成長遅れ時間(薄膜プロセス・材料,一般)
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜作製における成長遅れ時間
- 酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置(薄膜プロセス・材料,一般)
- 酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置
- 混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- イオンビームスパッタ法によりSiGe成長における水素導入効果
- 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2 High-k絶縁膜作製における堆積遅れ時間(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO2系薄膜の金属モード成長
- イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGe層の表面ラフネス制御(薄膜プロセス・材料,一般)