池田 乙元 | 金沢大学大学院自然科学研究科

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概要

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関連著者

• 畑 朋延

  独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川

• 佐々木 公洋

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 池田 乙元

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 佐々木 公洋

  金沢大学自然科学研究科

• 池田 乙元

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 佐々木 公洋

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 畑 朋延

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 北居 正弘

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 森田 信一

  IHIエアロスペース

• 近田 晴彦

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 杉野 誠

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 北居 正弘

  金沢大学自然科学研究科

• 高橋 幸大

  金沢大学工学部

• 佐々木 公洋

  金沢大学工学部

• 畑 朋延

  金沢大学工学部

• 池田 乙元

  自然科学研究科

• 畑 朋延

  自然科学研究科

• 池田 乙元

  金沢大学工学部/自然科学研究科

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著作論文

• 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
• Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
• Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
• イオンビームスパッタ法によりSiGe成長における水素導入効果

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