佐々木 公洋 | 金沢大学工学部
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概要
関連著者
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佐々木 公洋
金沢大学工学部
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畑 朋延
金沢大学工学部
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佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
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畑 朋延
金沢大学工学部電気電子システム工学科
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高橋 幸大
金沢大学工学部
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川越 進也
金沢大学大学院自然科学研究科
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金 済徳
金沢大学大学院自然科学研究科
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金 済徳
金沢大学工学部
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川越 進也
金沢大学工学部
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吉田 行男
金沢大学工学部電気電子システム工学科
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畑 朋延
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川
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吉田 行男
金沢大学 工学部
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高橋 幸大
金沢大学 工学部
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佐々木 公洋
金沢大学 工学部
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高田 俊明
金沢大学工学部電気・情報工学科
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畑 朋延
自然科学研究科
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蓮 達弘
金沢大学大学院 自然科学研究科
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佐々木 公洋
金沢大学大学院自然科学研究科
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蓮 達弘
自然科学研究科
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佐々木 健次
金沢大学工学部
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張 威暁
金沢大学工学部電気・情報工学科
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蓮 達弘
金沢大学工学部/自然科学研究科
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水谷 道夫
金沢大学工学部電気・情報工学科
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山田 実
金沢大学工学部
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岡田 洋和
金沢大学工学部電気・情報工学科
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北川 章夫
金沢大学工学部
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山田 実
金沢大学大学院自然科学研究科
-
山田 実
金沢大学工学部電気電子システム工学科
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高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
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高宮 三郎
金沢大学工学部
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金川 秀也
金沢大学工学部
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北川 章夫
金沢大学
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北川 章夫
金沢大学工学部情報システム工学科
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佐々木 公洋
金沢大学工学部電気・情報工学科
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池田 乙元
自然科学研究科
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中野 伸一
金沢大学工学部
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池田 乙元
金沢大学大学院自然科学研究科
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中田 圭一
金沢大学工学部
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金川 秀也
武蔵工業大学工学部
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北川 章夫
金沢大
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池田 乙元
金沢大学工学部/自然科学研究科
著作論文
- ECRプラズマ堆積Si膜の低温エピタキシャル成長特性
- ECRプラズマCVDによるSiのSiO_2ストライプパターンへの埋込み成長
- (59)卒業研究達成度評価実施例(第16セッション 教育評価・自己点検・評価システム(I))
- ECRプラズマCVDによるSiのSiO_2ストライプパターンへの埋込み成長
- ECRプラズマCVDによるSiのSiO_2ストライプパターンへの埋込み成長
- イオンビームスパッタ法によりSiGe成長における水素導入効果
- 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
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- ECRプラズマCVDによるSi薄膜の選択エピタキシャル成長
- ECRプラズマCVDによるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
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- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
- 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
- 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性
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- 金属モードスパッタリングによるエピタキシャル高・強誘電体薄膜の作製
- Si, Geのイオンビームスパッタ過程のモンテカルロシミュレーション
- SiGeのIBSによるエピタキシャル成長 : 斜め入射スパッタ過程のシミュレーション
- IBSによるSiGeエピタキシャル成長の基礎特性
- 反応性スパッタリングの新しい展開 : ターゲット構造からのアプローチ
- 新しいスパッタ堆積モードによるPZT薄膜の低温作製