ECRプラズマCVDによるSiのSiO_2ストライプパターンへの埋込み成長

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概要

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ECRプラズマCVD法を用いて、Si基板上にSiO_2がストライプ状にパターニングされた基板上への選択成長を行った。この選択成長過程には、成膜時に起こる水素ラジカルによるエッチング作用が重要な役割を果している。水素流量200sccm、基板温度225℃という条件の元で選択エピタキシャル成長できることがわかった。しかし、基板温度が低温であるためSi膜の結晶性は良好なものが得られない。そこで、基板と膜の界面の結晶性を向上させるために、これまでに求めているエピタキシャル成長条件でパターニング基板への成膜を行い、途中から選択成長条件に切り替え、Si基板上にのみSi膜を堆積させる選択成長法を考えた。この方法を我々はEtch Back選択成長と呼ぶ。その結果、この方法で基板温度300℃までは、Etch Back選択成長が可能であることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-05-20

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