ECRプラズマCVD法によるSi低温エピタキシャル成長

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概要

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ECRプラズマCVD法を用いてSiのエピタキシャル成長を行っている。Si基板を水素プラズマに曝すとエッチングが起こる。エッチング速度は(111)<(110)<(100)の順に大きくなり、これは各面方位での原子の結合構造、原子層の数を考慮することで説明される。また、エッチング速度はマイクロ波電力に比例し、水素プラズマの発光(H_α線)強度とよい相関を示す。150℃という低い基板温度でもエピタキシャル成長するが、膜厚が厚くなると結晶性は劣化する。原子状水素による適度のエッチング作用を導入すると、450℃では菊池線が観測されるほど良好な結晶性、表面形態を有するSiエピタキシャル膜が得られる。
1996-05-24

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