反応性スパッタ法によるSi(100)基板上へのYSZ薄膜のエピタキシャル成長

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概要

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• イットリヤ安定化ジルコニヤ(YSZ)薄膜はSi 基板の上にエピタキシャル成長が可能である。本研究では金属ターゲットを用いた反応性スパッタリングで試みる。まず、堆積速度やZr^+, Y^+, ZrO^+, YO^+などイオンの(O_2/Ar)流量比の増減に対するヒステリシス特性など、基本的特性を調べた。金属モードでは堆積速度は速いが金属が、酸化物モードでは1/10以下の速度で酸化物の堆積することがわかった。ターゲットが酸化しないように開口を設けた蓋で覆うと金属モードでもYSZが高速で堆積することが可能になった。これは、基板の上で金属原子と酸素が直接反応し堆積する。この状態でエピタキシャル成長を試みたところ、p-(100)Si基板温度800度でロッキングカープの半値幅1.08度、RHEED観測からエビタキシャル成長していることがわかった。

• 1996-05-24

著者

• 佐々木 公洋

  金沢大学 工学部

• 岡田 洋和

  金沢大学工学部電気・情報工学科

• 安藤 亮

  金沢大学 工学部 電気・情報工学科

• 畑 朋延

  金沢大学 ・ 大学院自然科学研究科

• 岡田 洋和

  金沢大学 工学部 電気・情報工学科

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