イオンビームスパッタ法によりSiGe成長における水素導入効果
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概要
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イオンビームスパッタ法を用いたSiGe薄膜作製における水素の効果について議論している。本方法では、膜厚を制御性よくかつ再現性よく作製できることを示している。水素導入なしでSi(100)基板上にGe薄膜を形成し、その上にSiを成長させると、Geは表面偏析を起こし成長Si膜中に取り込まれ急峻なSi/Geヘテロ界面が得られない。水素を導入するとサーファクタント効果により効果的にこの偏析が抑制された。しかし、一方この水素導入によりSiの結晶成長が阻害され、結晶性が劣化することが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-19
著者
-
高橋 幸大
金沢大学工学部
-
佐々木 公洋
金沢大学工学部
-
畑 朋延
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川
-
畑 朋延
金沢大学工学部
-
佐々木 公洋
金沢大学大学院自然科学研究科
-
池田 乙元
自然科学研究科
-
畑 朋延
自然科学研究科
-
池田 乙元
金沢大学大学院自然科学研究科
-
佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
-
池田 乙元
金沢大学工学部/自然科学研究科
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