畑 朋延 | 独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川
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概要
関連著者
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畑 朋延
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川
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佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
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佐々木 公洋
金沢大学大学院 自然科学研究科
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畑 朋延
金沢大学大学院 自然科学研究科
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佐々木 公洋
金沢大学大学院自然科学研究科
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池田 乙元
金沢大学大学院自然科学研究科
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池田 乙元
金沢大学大学院 自然科学研究科
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畑 朋延
金沢大学工学部
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佐々木 公洋
金沢大学工学部
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蓮 達弘
金沢大学大学院 自然科学研究科
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北居 正弘
金沢大学大学院 自然科学研究科
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森田 信一
IHIエアロスペース
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高橋 幸大
金沢大学工学部
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金 済徳
金沢大学大学院自然科学研究科
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近田 晴彦
金沢大学大学院 自然科学研究科
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杉野 誠
金沢大学大学院 自然科学研究科
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畑 朋延
自然科学研究科
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佐々木 健次
金沢大学工学部
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北居 正弘
金沢大学自然科学研究科
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川越 進也
金沢大学大学院自然科学研究科
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畑 朋延
金沢大学工学部電気電子システム工学科
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河合 賢太郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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千葉 忍
金沢大学大学院 自然科学研究科
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元木 詮
CBC株式会社
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伊藤 昭彦
芝浦メカトロニクス株式会社
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吉森 和也
金沢大学大学院 自然科学研究科
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蓮 達弘
自然科学研究科
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皆森 雅文
金沢大学大学院自然科学研究科
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高橋 幸大
金沢大学大学院自然科学研究科
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河合 賢太郎
金沢大学大学院自然科学研究科
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蓮 達弘
金沢大学工学部/自然科学研究科
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吉田 行男
金沢大学工学部電気電子システム工学科
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和泉 亮
北陸先端科学技術大学院大学
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文珠 康真
金沢大学大学院 自然科学研究科
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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畑 朋延
金沢大学 ・ 大学院自然科学研究科
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土岐 和之
日本電子株式会社 ・ 産業機器技術本部
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清水 康司
日本電子株式会社 ・ 産業機器技術本部
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薮内 誠
金沢大学大学院自然科学研究科
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永田 喜也
金沢大学大学院自然科学研究科
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池田 乙元
自然科学研究科
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佐々木 健次
金沢大学大学院自然科学研究科
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鍋谷 定孝
金沢大学大学院自然科学研究科
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金 済徳
金沢大学工学部
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川越 進也
金沢大学工学部
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土岐 和之
サンユー電子株式会社
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池田 乙元
金沢大学工学部/自然科学研究科
著作論文
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の低温・高速堆積用の固体酸素供給源による反応性スパッタ法の提案
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2の成長とゲート絶縁膜特性
- 電子ビーム励起プラズマアシスト陽極真空アークイオンプレーティングで作成したTiO_2膜
- 酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置(薄膜プロセス・材料,一般)
- 酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置
- 混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- イオンビームスパッタ法によりSiGe成長における水素導入効果
- 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
- 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
- 金属/酸化物モードによるゲート絶縁膜用YSZ超薄膜の形成
- IBS法による選択BドープSi/Ge周期構造の作製とその電気的特性
- IBS法によるSi基板上Geの成長過程とSi/Ge超格子構造
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討