金属/酸化物モードによるゲート絶縁膜用YSZ超薄膜の形成

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
反応性スパッタ法を用いて、YSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長とその評価を行ってきた。その中で、比誘電率が20〜25程度であること突き止め、今回はYSZ薄膜を次世代ゲート絶縁膜に応用することを目指し、絶縁膜としての超薄膜の形成方法を検討した。まず、高誘電率ゲート絶縁膜の最大の問題点である界面での金属原子の拡散状況を調べた結果、これまでのエピ成長した金属モード/800℃堆積では、ZrとSiの相互拡散が確認できた。そこで、拡散を抑制し絶縁性を向上させるために低温堆積を試みたが、リーク特性に改善は見られなかった。これは、金属モード堆積による膜中の酸素欠損が原因であるためと考え、酸素供給を増やした酸化物モード堆積を行った結果、リーク特性は大幅に改善できた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-10-19

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク