制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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金属Zrと酸素を基板上で反応させる制限反応スパック法によりZrO_2膜を堆積し,その特性の評価を行っている.金属ターゲットを用いることで界面silicate層の減少が期待できる.本報告では基板温度を室温〜300℃,酸素流量比を3.4%〜10.3%の間で変化させて堆積を行い,良好な高誘電率膜が得られる条件を探った.漏れ電流特性においては基板温度を高くするに従って漏れ電流が増加する傾向にあった.EOTの最適条件は基板温度300℃,酸素流量比4.2%であった.また,この条件で作製した膜に500℃-lOsecのRTA処理を行ったところ特性の向上が見られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-19
著者
-
佐々木 公洋
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
畑 朋延
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
畑 朋延
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ石川
-
河合 賢太郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
佐々木 公洋
金沢大学大学院自然科学研究科
-
薮内 誠
金沢大学大学院自然科学研究科
-
永田 喜也
金沢大学大学院自然科学研究科
-
河合 賢太郎
金沢大学大学院自然科学研究科
-
佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
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