高濃度BドープSi/SiGeB多層膜の熱電特性(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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近年、低次元構造熱電材料による熱電性能向上が数多く報告されている。本研究ではSOI基板上にエピタキシャル成長したSiGeB薄膜において室温近傍でバルク値の2倍程度の高い性能(PF〜7×10^<-3>Wm^<-1>K^<-2>)が得られることを見出している。今回、導電層のみにBをドープしたSi/SiGeB多層膜を作製し、熱電性能を検討した。アニール後、周期性を保ったサンプルにおいて最も高い性能が得られた。これはキャリヤの閉じ込め効果が関与していると考えられる。
- 2009-10-22
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